硅基氮化铝

推荐北京大学采用化合积电高质量氮化铝薄膜破解GaN-on-Si制备难题

中国粉体网讯 凭借高功率、高频工作环境下的优良性能,氮化镓(GaN)正在快速崛起,无论是在功率,还是射频应用领域。由于大尺寸硅(Si)基板具备低成本优势,且对现有CMOS工艺兼容,使得硅基氮化镓(GaN-on-Si)成为市场[更多]

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