主要从事基于GaN的第三代宽禁带半导体电子器件的研究，研究方向包括GaN基射频微波器件以及电力电子功率开关器件的器件物理和工艺。

在国际物理及器件期刊，如IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Applied Physics Letters，Journal of Applied Physics上发表学术论文40多篇，多次在氮化物材料和器件相关的国际会议，如ICNS，IWN，TWHM, ISPSD以及IEDM上作报告。主持或参与了国家自然科学基金青年、面上、重点项目，以及国家重大专项、重点研发计划等科研项目。