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- 张建立 研究员/硕导
研究方向:主要从事硅衬底GaN相关研究,包括MOCVD装备研制、硅上GaN材料生长、InGaN长波段LED制备、LED材料与器件分析、多基色LED封装、LED可见光通信、Micro-LED微显示技术等
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- 林信南 教授
研究方向:1. 用于EDA的新型仿真方法、工具及器件SPICE模型 a) 纳米集成电路前沿器件结构与模型:FinFET、TFET(隧穿场效应管)、无结器件; b) 新型存储器件结构与模型:PCRAM(相变存储器)、RRAM(阻变存储); c) 新型可靠性与存储特性仿真方法、工具及模型方法。 2. 电力电子器件 a) 宽禁带材料GaN(氮化镓)、SiC(碳化硅)器件物理、结构与工艺; b) 硅基IGBT器件结构与工艺。
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- 蒋克健 副研究员
研究方向:在化学所工作以来,主要研究围绕光电材料方面开展了以下几方面研究工作。 1、 围绕染料敏化太阳电池开展了有机和钌染料的分子设计和合成以及器件制备等方面的研究。这部分工作先后发表在Angew. Chem. Int. Ed.(2012, 51, 10351.)、Adv. Funct. Mater.(2009, 19, 2481)和Chem. Commun.(2011,6461;2011,740;2006,2460)等SCI收录期刊上。系列醌式噻吩给受体有机染料研究。(J. Mater.Chem. A,2015,3, 7695;RSC Adv. 2015,5, 76667)。 2、 钙钛矿电池研究。(Chem.Commun., 2015, 51,1457;Sci.Rep.2015,5,15889;Synth. Met. 2015,209,247;J. Mater. Chem. A, 2015, 3, 9092)。 3、 作为项目负责人完成科技部“863”’项目“柔性染料敏化太阳电池”项目。
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