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赵德刚 研究员研究方向:主要从事GaN基光电子材料生长与器件研究,对材料生长机理、材料物理、器件设计及器件物理有较深入的理解和认识,解决了GaN材料大失配异质外延技术等关键难题,研制出我国第一支GaN基紫外激光器、长寿命大功率蓝光激光器和紫外雪崩光电探测器,还在碳杂质研究做出了系统性、创新性工作。
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赵丽霞 教授研究方向:长期从事宽禁带GaN基半导体材料、器件及可靠性研究,特别是在晶圆级横向多孔GaN半导体材料的可控制备、高带宽 GaN 基光通信器件及可靠性和失效机理等方面取得了一系列有意义的成果。
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