编号：CYYJ04108
篇名：CMP抛光液中SiO2磨料分散稳定性的研究进展
作者：程佳宝 石芸慧 牛新环 刘江皓 邹毅达 占妮 何潮 董常鑫 李鑫杰
关键词： 化学机械抛光(CMP) SiO2磨料 表面活性剂 分散稳定性 PH值
机构： 河北工业大学电子信息工程学院 天津市电子材料与器件重点实验室
摘要： 对SiO2磨料在化学机械抛光(CMP)抛光液中的应用以及影响抛光液分散稳定性的因素进行了阐述,重点从SiO2磨料分散稳定性的角度介绍了SiO2磨料质量分数和粒径、抛光液pH值、表面活性剂种类和表面改性等对抛光液稳定性的影响,通过分析Zeta电位绝对值的范围、凝胶时间的长短、粒径随时间的变化和接触角等,总结了小粒径(35 nm左右)SiO2磨料在抛光液中的分散机理,同时探讨了弱碱性环境对磨料Zeta电位的影响,阳离子、阴离子和非离子表面活性剂对磨料表面的作用机理和复配使用的效果,以及表面疏水化或亲水化改性对磨料分散稳定性的影响。最后对该领域未来的发展方向进行了展望。
