编号：CYYJ03838
篇名：S空位与Tc掺杂单层MoS2的电子结构和磁学性质模拟
作者：付斯年 朱瑞华
关键词： Tc掺杂单层MoS2 第一性原理 电荷密度 电子结构 磁学性质
机构： 牡丹江师范学院物理与电子工程学院
摘要： 利用第一性原理,研究了S空位(VS)和Tc掺杂单层MoS2的电子结构和磁学性质。结果表明,Tc掺杂的单层MoS2是一种具有铁磁性的n型半导体;与Tc掺杂体系相比,VS的引入不会导致(Tc,VS)掺杂系统的总磁矩发生显著变化,且磁矩主要由Tc原子所贡献;在2Tc掺杂体系中,通过形成能分析确定出最稳定构型;2Tc掺杂体系的磁矩为2.048μB,主要由两个Tc原子贡献。通过自旋电荷密度分析表明,(Tc-4d)-(S-3p)-(Mo-4d)-(S-3p)-(Tc-4d)耦合链的形成可能是2Tc掺杂体系发生铁磁耦合的原因。
