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LPCVD氮化硅设备对颗粒污染的影响研究

编号:SBJS00843

篇名:LPCVD氮化硅设备对颗粒污染的影响研究

作者:吴清洋

关键词: LPCVD 氮化硅 颗粒污染

机构: 辽宁省交通高等专科学校

摘要: 颗粒污染在集成电路制造工艺中会引起严重的缺陷,会对后续光刻对位造成影响,甚至会导致电路性能下降、使用寿命缩短。尤其是在深亚微米集成电路制造工艺中,颗粒污染对产品良率的影响就更为严重了。在炉管低压化学气相淀积(LPCVD)工艺中,Si_3N_4工艺的颗粒污染问题最难控制。为了降低氮化硅薄膜制程中的颗粒污染,主要从LPCVD氮化硅薄膜生产设备出发,深入研究和探讨各环节可能存在的微粒污染问题,为低颗粒污染生产提供依据。

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