编号：NMJS07982
篇名：RIE反应离子刻蚀氮化硅工艺的研究
作者：关一浩 雷程 梁庭 白悦杭 齐蕾 武学占
关键词： 氮化硅 多晶硅 反应离子刻蚀 刻蚀速率 非均匀性
机构： 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室 北方自动控制技术研究所
摘要： 氮化硅在红外热电堆中既充当钝化隔离层又充当红外吸收层,其薄膜刻蚀在MEMS工艺中至关重要。采用RIE-10NR反应离子刻蚀机以SF6为主要刻蚀气体,通过改变氧气流量、射频功率、腔室压强对氮化硅薄膜进行刻蚀实验。通过台阶仪及共聚焦显微镜表征刻蚀形貌、速率及刻蚀均匀性。实验表明,在SF6流量为50 sccm,O2流量为10 sccm,腔室压强为11 Pa,射频功率为250 W的条件下,氮化硅刻蚀速率达到509 nm/min,非均匀性可达2.4%;在同样条件下,多晶硅的刻蚀速率达到94.5 nm/min,选择比为5.39∶1。
