编号：FTJS08263
篇名：高Sc含量ScAlN薄膜的制备与表征
作者：杨数强 王军强 张超 陈宇昕 尚正国
关键词： 薄膜 磁控溅射 氮化铝钪 半高全宽 d33压电常数
机构： 洛阳师范学院物理与电子信息学院 北京卫星环境工程研究所 重庆大学光电工程学院
摘要： 本文利用优化的种子层结构和工艺参数,以AlSc合金靶为靶源,以脉冲直流反应磁控溅射AlSc合金靶的方式在室温下制备了ScAlN薄膜,同时设计并制作了压电测试专用结构,解决了ScAlN腐蚀工艺不成熟的问题,结合X射线衍射仪、扫描电镜、能谱仪、准静态d33分析仪、纳米压痕法等方法表征了薄膜的结晶质量、组成成分和机电耦合系数等性能。由表征结果可知,所制备的Sc0.35Al0.65N薄膜具有高度c轴择优取向,摇摆曲线的半高宽低至2.167°,同时结晶致密,有少量贝壳状凸起。薄膜的压电常数d33为-23.4 pC/N,机电耦合系数k332和kt2分别为34.6%和25.7%,具有制备FBAR等高性能压电MEMS器件的潜力。
