编号：CYYJ02345
篇名：PECVD工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池EL发黑的影响
作者：张福庆 王贵梅 赵环 张军杰 朱少杰
关键词： 单晶硅 双面太阳电池 PECVD 氮化硅薄膜 EL发黑 折射率 开槽激光
机构： 晶澳太阳能有限公司
摘要： 以采用PECVd工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池电致发光(EL)发黑的影响为研究对象进行了实验验证。结果表明,当背面氮化硅薄膜中底层膜的折射率较低时,会导致双面单晶硅太阳电池背电极位置的EL发黑;底层膜和中层膜的折射率过高时,会导致双面单晶硅太阳电池的EL大面积发黑;上层膜边缘的折射率较高时,会导致双面单晶硅太阳电池的边缘位置EL发黑。对于双面单晶硅太阳电池而言,采用PECVd工艺制备背面氮化硅薄膜时制定合理的底层膜、中层膜,以及上层膜边缘的折射率范围,可以有效避免双面单晶硅太阳电池不良品的产生。
