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Co3O4纳米片的制备及其电化学性能

编号:CPJS05548

篇名:Co3O4纳米片的制备及其电化学性能

作者:朱刚 ;李江涛 ;蔡科 ;杨晓慧

关键词: 四氧化三钴 纳米片 均相沉淀 煅烧 负极材料

机构: 西安文理学院化学工程学院,陕西省表面工程与再制造重点实验室,西安710065

摘要: 以六水合硝酸钴[Co(NO_3)_2·6H_2O]为钴源、六次甲基四胺[CH_2)_6N_4]为水解剂,采用均相沉淀法制得β-氢氧化钴[β-Co(OH)_2]。β-Co(OH)2前驱体在400℃经煅烧2h制得四氧化三钴(Co_3O_4)材料。用X-射线衍射和扫描电镜对前驱体和目标产物进行了表征。结果表明,所得Co_3O_4为二维片状。电化学测试结果显示,Co_3O_4负极材料具有高的比容量和良好的循环性能。在100mA/g的电流密度下,首次充电比容量达到827mAh/g。恒流充放电50次后,容量保持率为88.5%。

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