编号：CPJS04860
篇名：CoSb_3纳米薄膜的制备与热电性能（英文）
作者：李磊 ;刘宪云 ;钱忠建 ;江兴方
关键词：纳米材料 CoSb3 低压化学气相沉积 热电性 半导体
机构： 常州大学数理学院,江苏常州213164
摘要： 通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300~800K温度范围内的热电性能测试,发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级,热导率值在1.08~4.05 Wm-1 K-1之间,比单晶CoSb3低得多.这表明纳米结构导致热导率显著降低,最高热电优值在773K出现且为0.114.这种纳米薄膜材料在研制新型高效热电半导体方面极具应用前景.
