编号：FTJS06586
篇名：共沉淀法制备Ce掺杂的Gd3（Al，Ga）5O12粉体
作者：张烨[1] ;陈先强[1,2] ;秦海明[1] ;罗朝华[1] ;蒋俊[1] ;江浩川[1]
关键词：Gd3(Al Ga)5O12陶瓷 共沉淀 煅烧 无机闪烁体
机构： [1]中国科学院宁波材料技术与工程研究所,宁波315201; [2]中国科学院大学,北京100039
摘要： 通过在含有钆、镓、铝离子的硝酸混合溶液中滴加氨水，共沉淀生成Ce掺杂的Gd3（Al，Ga）5O12（GAGG）前驱体，并采用TG／DTA对GAGG前驱体进行表征。分别在800℃、850℃、900℃、1000℃、1100℃及1200℃对GAGG前驱体进行煅烧处理，采用XRD对GAGG粉体的物相进行表征，结果显示制备出纯相的GAGG粉体。采用SEM对GAGG粉体的颗粒大小以及微观形貌进行观察。GAGG粉体的荧光谱图显示在560nm处有一个很强的发射峰。在900℃煅烧处理的GAGG粉体所烧结的陶瓷具有最高的透明度。
