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模拟分析SiH4和N2O产生等离子体加强化学沉积制备SiO2薄膜

编号:NMJS05555

篇名:模拟分析SiH4和N2O产生等离子体加强化学沉积制备SiO2薄膜

作者:陈心园[1] ;黄建[1] ;邓伟[1] ;王维[1] ;周筑文[1]

关键词:粒子模拟实验 硅烷 笑气 二氧化硅 等离子体加强化学沉积(PECVD) SiO2薄膜

机构: [1]贵州师范学院物理与电子科学学院,贵州贵阳550018

摘要: 通过等离子体粒子模拟实验(PIC),成功模拟了硅烷(SiH4)和笑气(N2O)的等离子体加强化学沉积(PECVD)制备SiO2薄膜的过程.模拟实验过程分析了电离后各种离子的动能、以及鞘层的空间和能量分布.分析这些物理参量,对比SiH4和N2O的等离子体加强化学沉积实验中的化学反应式,模拟实验结果从动能、能量空间分布的角度都能合理地解释等离子体加强化学沉积制备SiO2薄膜的实验过程,通过这些粒子模拟实验(PIC),从理论上合理地解释了使用SiH4和N2O形成SiO2薄膜的一些形成机制.

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