编号：FTJS05813
篇名：快速热氧化制备超薄二氧化硅层及其钝化效果
作者：郭春林[1] ;汪雷[1] ;戴准[1] ;房剑锋[2] ;郑佳毅[3] ;杨德仁[1]
关键词：RTO SiO2薄膜 太阳电池 钝化
机构： [1]浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,浙江杭州310027; [2]上海殷勇电子科技有限公司,上海230088; [3]杭州正泰太阳能科技有限公司,浙江杭州310053
摘要： 二氧化硅（SiO2）是制备高效晶体硅太阳电池常用的钝化手段。本文利用快速热氧化（RTO）技术在晶体硅表面制备超薄SiO2层,考察其对硅表面的钝化作用。在100%O2气氛下,900℃RTO处理180s,可以使样品的少子寿命达到146.6μs的最佳值。采用RTO方法制备的SiO2薄膜厚度可以控制在几个纳米范围。通过与等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统沉积的氮化硅（SiNx）薄膜形成叠层钝化膜,可以进一步提高对太阳电池表面的钝化效果。单层SiNX薄膜钝化的样品有效载流子寿命为51.67μs,SiO2/SiNx叠层薄膜钝化的样品有效载流子寿命提高到151.18μs。
