编号：FTJS05689
篇名：高能微波辐照条件下SiC晶粒的生长过程分析
作者：黄珊； 王继刚； 刘松； 李凡；
关键词：微波； 微米晶粒； 碳化硅； 生长机理；
机构： 江苏省先进金属材料重点实验室东南大学,材料科学与工程学院； 东南大学张家港工业技术研究院；
摘要： 利用高能真空微波辐照,仅以SiO2和人造石墨粉为原料,便捷快速地合成得到结晶良好的β-SiC晶粒。在利用各种表征手段综合分析SiC晶粒微观结构的基础上,确认高能微波辐照条件下,β-SiC晶粒的生长过程符合"光滑界面的二维形核生长"机制。借助于电子背散射衍射技术(EBSD)进行的原位解析发现,生长最快的{211}面在晶粒长大过程中逐渐被超覆,通过形成{421}过渡晶面而最终演变为{220}晶面,并成为晶粒的侧面;而生长最慢的{111}面则成为最后保留下来的六角形规则晶面。EBSD的解析结果为SiC晶粒生长过程中晶面演变提供了直接的实验证据。
