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稀土La掺杂CrSi_2电子结构与光学性质的第一性原理研究

编号:FTJS05538

篇名:稀土La掺杂CrSi_2电子结构与光学性质的第一性原理研究

作者:张忠政; 张春红; 闫万珺; 周士芸; 郭本华;

关键词:CrSi2; 第一性原理; 掺杂; 电子结构; 光学性质;

机构: 安顺学院电子与信息工程学院航空电子电气与信息网络工程中心;

摘要: 基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土La掺杂CrSi2的几何结构,电子结构和光学性质进行了计算与分析.结果表明,La掺杂后,CrSi2的晶格常数a,b和c均增大,晶格体积增大.La掺杂导致费米面进入价带,带隙明显变窄仅为0.07eV;在费米面附近,La原子的5d层电子态密度只占总态密度很小的一部分,而总态密度仍然由Si的3p层和Cr的3d层电子的分波态密度决定;La掺杂后CrSi2的静态介电常数ε1(0)由28.98增大为91.69,ε2(ω)的两个介电峰均向低能方向偏移且增强,光学吸收边向低能方向移动,吸收峰减小.计算结果为CrSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据.

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