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ZnO/In_2O_3纳米异质结的合成及其光催化性能的研究

编号:NMJS05267

篇名:ZnO/In_2O_3纳米异质结的合成及其光催化性能的研究

作者:何霞; 刘海瑞; 董海亮; 梁建; 张华; 许并社

关键词:ZnO; ZnO/In2O3; 罗丹明B; 光催化效率;

机构: 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室; 太原理工大学材料科学与工程学院;

摘要: 通过热水解法成功制备出了形貌均一的ZnO/In2O3异质结光催化材料,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)以及透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌及结构进行表征。结果表明:ZnO/In2O3异质结是由直径约200~300 nm、厚度约40~60 nm的六边形纳米片镶嵌着In2O3纳米小颗粒组成。对比纯ZnO、纯In2O3和该光催化材料对罗丹明B(RhB)的可见光降解效率,发现ZnO/In2O3异质结光催化材料对RhB具有较高的光催化效率,其原因是窄带系半导体In2O3能够有效地吸收可见光,当ZnO与In2O3形成异质结时,In2O3能带上被可见光激发的电子会迁移到ZnO的导带上,而光激发的空穴仍保留在In2O3价带,这样有助于光生电子和空穴的分离,降低其复合几率,从而有效地提高了ZnO的光催化效率。

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