编号：NMJS05185
篇名：SiC/SiO_2复合材料的制备及介电性能研究
作者：刘海涛； 郑治祥； 王苏敏； 祖立成； 吕珺； 徐光青；
关键词：复合材料； SiC/SiO2； 包覆； 介电常数； 介电损耗；
机构： 合肥工业大学材料科学与工程学院；
摘要： 文章采用介电常数低的纳米SiO2粉体与SiC微粉通过机械球磨的方式进行混合,制得SiO2包覆SiC的复合粉体,经干压成型,在流动的高纯氩气保护下,常压烧结出结构均匀、介电性能良好的SiC/SiO2复合材料。通过EDS、XRD、SEM等手段进行表征,分析了原料配比、烧结温度、密度及显微结构等对材料介电性能的影响。结果表明:烧结温度低于1 000℃时,随着温度升高,材料的烧结密度降低,介电常数降低;温度高于1 000℃时,材料的密度和介电常数随温度升高而增加,介电损耗则随温度升高一直呈递减趋势;当烧结温度为1 100℃时,SiC与SiO2质量比为2∶1的试样获得了烧结密度为1.77g/cm3、介电常数为5.40和介电损耗为0.055的较好性能。
