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多晶Lu2SiO5∶Ce发光粉体中Ce价态的XANES表征及其VUV光谱特性

编号:CPJS02837

篇名:多晶Lu2SiO5∶Ce发光粉体中Ce价态的XANES表征及其VUV光谱特性

作者:范灵聪; 张瑜瑜; 张园; 施鹰; 谢建军; 雷芳;

关键词:LSO∶Ce; 化合价; X-射线吸收近边结构; VUV光谱;

机构: 上海大学材料科学与工程学院;

摘要: 采用X射线吸收近边结构(XANES)谱对多晶Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)发光粉体中Ce元素的化合价状态进行了表征,结果表明:在空气下煅烧后得到的不同Ce掺杂浓度的LSO∶Ce粉体中,Ce3+在总掺杂Ce中的含量仅为18%~39%;而经1 000℃/2 h的氢气气氛下退火后,LSO∶0.5%Ce粉体中Ce3+的相对含量由39%大幅提高到83%。真空紫外(VUV)激发发射光谱表明:当Ce的掺杂摩尔分数为0.25%~1%时,Ce3+的摩尔分数与LSO∶Ce粉体的发光强度具有很好的关联性。氢气退火处理可以使LSO∶Ce粉体的发光强度提高近40%。LSO∶Ce粉体在变温条件(50~250 K)下的发射强度表现出良好的稳定性,未观察到热猝灭现象发生。

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