编号：CPJS02336
篇名：白光LED用Ba0.955Al2Si2-xGexO8∶Eu2+荧光粉的晶体结构和光谱特性研究
作者：王飞； 田一光； 张乔；
关键词：硅酸盐； Ba长石(BaAl2Si2O8)； Ge置换； Eu2+；
机构： 安徽三联学院实验中心； 温州大学化学与材料工程学院；
摘要： 采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Ba0.955Al2Si2-x Gex O8∶Eu2+(x=0.0~1.0)系列荧光粉,研究了Ge4+置换Si 4+对其晶体结构和光谱特性的影响。Ge4+以类质同相替代Ba长石(BaAl2Si2O8)晶格中的Si 4+形成连续固溶体,晶胞参数a、b、c、β和晶胞体积V随Ge4+置换量呈线性递增。荧光激发谱为宽带,位于230~400nm处,可拟合成4个峰,最大峰值位于332nm;随着Ge4+置换量的增加,半高宽(FWHM)从93nm减小到80nm。发射光谱位于375~600nm,可由422nm和456nm两峰拟合而成,最大峰值位于434nm;随着Ge4+置换量Si 4+进入基质晶格,造成Eu-O距离变小,发光中心Eu2+所处晶体场增强,5d轨道能级分裂变大,最低发射能级下移,两拟合峰均线性红移。
