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合成碳化硅的热力学分析及碳化硅晶须生长的表征

编号:CPJS02262

篇名:合成碳化硅的热力学分析及碳化硅晶须生长的表征

作者:李心慰; 曲殿利; 李志坚; 吴锋; 徐娜;

关键词:碳化硅晶须; 热力学; 合成条件; 催化剂;

机构: 辽宁科技大学高温材料与镁资源工程学院;

摘要: 以硅溶胶和炭黑为原料,三氧化二铁、硅铁合金为催化剂,研究分析碳化硅晶须的合成条件,催化剂种类对合成碳化硅晶须的影响。用X’pert plus软件对X射线衍射图进行拟合,通过半定量法对试样晶相组成进行计算,用SEM对合成的碳化硅晶须进行微观形貌分析。结果表明:合成β-SiC w的热力学条件为:T=1823 K时,P CO>0.23×105Pa;晶须生成量随Fe2O3、Si-Fe加入量增加而增多;Si-Fe加入量为1%时,虽然合成的晶须量少,但生成的β-SiC w直径均匀,为0.1~0.6μm,长度适中,为10~50μm,直晶率达95%。

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