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二氧化硅干法刻蚀倾角控制的工艺研究

编号:FTJS04383

篇名:二氧化硅干法刻蚀倾角控制的工艺研究

作者:张昭; 杨兵; 陆敏; 田亮; 杨霏

关键词:二氧化硅; 干法刻蚀; 刻蚀倾角

机构: 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所; 北方工业大学

摘要: 采用反应离子体刻蚀机结合CHF3+SF6+O2混合气体[1,2]刻蚀二氧化硅的工艺研究,并且采用正交试验方法[3]调整刻蚀参数,得出影响刻蚀倾角的主要因素是CHF3和SF6。适当增加CHF3流量有助于形成陡直的刻蚀倾角;适当增加SF6流量并减小CHF3流量有助于形成平缓的刻蚀倾角。通过对实验参数进行整体优化处理,最终实现了垂直、平缓的刻蚀倾角。为采用二氧化硅作为刻蚀掩膜以及终端结构提供了帮助。

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