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真空蒸镀锗掺杂多晶硅薄膜的研究

编号:FTJS04083

篇名:真空蒸镀锗掺杂多晶硅薄膜的研究

作者:王宙; 何旭; 付传起; 室谷贵之; 杨萍; 曹健;

关键词:真空蒸镀; 多晶硅薄膜; 锗掺杂; 晶化率;

机构: 大连大学表面工程中心;

摘要: 为了进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上制备了掺杂稀土锗的多晶硅薄膜。用扫描电子显微镜(KYKY-1000B)和显微激光拉曼光谱仪(JY Labram HR 800)分析研究了不同掺杂分数的锗成分对掺锗多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构及薄膜晶化率的影响。结果表明:随着锗掺杂分数的增加薄膜表面更加平整、晶粒粒径变大分布更加均匀,晶化率升高;当掺杂分数为1%时,薄膜表面晶粒尺寸可达1μm、晶化率达到87.37%;但当掺杂分数超过1%,镀层表面又变得粗糙、部分晶粒发生变形、晶化率降低。这说明适量锗的掺入可以改善多晶硅薄膜表面平整度,促进薄膜表面晶粒的形成和长大,提高薄膜晶化率。

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