编号：FTJS04020
篇名：MgB_2超导材料掺杂研究进展
作者：付尧； 张松； 吴燕平； 邓朝勇；
关键词：MgB2； 临界电流密度； 上临界场； SiC掺杂； 有机物掺杂；
机构： 贵州大学理学院贵州省电子功能复合材料特色重点实验室；
摘要： 元素掺杂可以提升MgB2在磁场中的性能,解决其超导性能在磁场环境下的退化问题,对MgB2超导材料的应用具有重大意义。介绍了元素掺杂MgB2的目的及作用机理,从薄膜、块材、线带材3个方面具体综述了纳米SiC和有机物掺杂MgB2超导体的研究进展,系统总结了烧结温度及有机物掺杂量对MgB2超导体的性能影响,深入分析了有机物掺杂改善MgB2超导性能的微观原因。
