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双靶磁控溅射共沉积V-C-Co薄膜的结构及力学性能

编号:FTJS04018

篇名:双靶磁控溅射共沉积V-C-Co薄膜的结构及力学性能

作者:张晓娟; 郭军; 李朋; 于晓华; 黄峰; 詹肇麟;

关键词:V-C-Co薄膜; 磁控溅射; 微结构; 力学性能;

机构: 昆明理工大学材料科学与工程学院; 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;

摘要: 通过双靶磁控溅射共沉积法,在硅(100)和康宁玻璃基片上制备了一系列不同Co含量(原子含量0~27.2%)的VC-Co薄膜,并分别用扫描电子显微镜及其附带的X射线能谱仪分析了薄膜的生长结构及成分,用X射线衍射仪分析了薄膜的相组成,用纳米压痕仪分析了薄膜的力学性能。结果表明,Co在V-C-Co中以非晶的形式存在,且Co的加入会使VC晶粒尺寸变小,V-C-Co结晶性变差。随着Co含量的增加,薄膜呈现出较好的综合机械性能,且在含量为11.9%时达到最优。

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