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模板电沉积制备一维钴纳米材料的生长机制

编号:NMJS04701

篇名:模板电沉积制备一维钴纳米材料的生长机制

作者:李成; 陈铭明; 金学军;

关键词:模板电沉积; 纳米材料; 生长机制;

机构: 上海交通大学材料科学与工程学院;

摘要: 研究通过控制直流沉积,在阳极氧化铝(AAO)模板中获得高填充率的钴纳米线、纳米管混合物,其平均直径50 nm。并对这种混合物的形成机制做出了初步探讨。

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