编号：NMJS04672
篇名：钒掺杂W_(18)O_(49)纳米线的室温p型电导与NO_2敏感性能
作者：秦玉香； 刘凯轩； 刘长雨； 孙学斌；
关键词：氧化钨； 纳米线； 气体传感器； 室温灵敏度；
机构： 天津大学电子信息工程学院；
摘要： 钨氧化物纳米线在高灵敏度低功耗气体传感器中极具应用潜力,且通过掺杂改性可进一步显著改善其敏感性能.本文以WCl6为钨源,NH4VO3为掺杂剂,采用溶剂热法合成了钒掺杂的W18O49纳米线.利用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱仪表征了纳米线的微结构,并利用静态气敏性能测试系统评价了掺杂纳米线的NO2敏感性能.研究结果表明:五价钒离子受主掺杂进入氧化钨晶格结构,抑制了纳米线沿轴向的生长并导致了纳米线束的二次集聚;室温下,钒掺杂W18O49纳米线接触NO2气体后表现出反常的p型响应特性;随工作温度逐渐升高至约110 C时,发生从p型到n型的电导特性转变;该掺杂纳米线气敏元件对浓度低至80 ppb(1 ppb=10 9)的NO2气体具有明显的室温敏感响应和良好的响应稳定性.分析并探讨了钒掺杂W18O49纳米线的高室温敏感特性及其p-n电导转型机理,认为钒掺杂W18O49纳米线在室温下的良好敏感响应及反常p型导电性与掺杂纳米线表面高密度非稳表面态诱导的低温气体强吸附有关.
