编号：FTJS03923
篇名：ALD氧化铝薄膜介电性能及其在硅电容器的应用
作者：电子与封装 2013年09期
关键词：硅基电容器； 三氧化二铝； 深槽； 介电特性； 原子层沉积；
机构： 中国电子科技集团公司第58研究所；
摘要： 硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O3薄膜的介电特性,通过优化ALD原子沉积温度和退火工艺,发现在沉积温度420℃和O3气氛退火5 min下,ALD生长的Al2O3薄膜击穿强度可大于0.7 V/nm,相对介电常数达8.7。制成的硅基电容器电容密度达到50 nF/mm2,漏电流小于5 nA/mm2。
