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阵列碳纳米管薄膜厚度调控研究

编号:NMJS03426

篇名:阵列碳纳米管薄膜厚度调控研究

作者:马康夫1; 2; 付志兵2; 杨 曦2; 王朝阳2; 唐永建2;

关键词:阵列碳纳米管; 厚度; 生长速度;

机构: (1.西南科技大学 材料科学与工程学院,四川 绵阳621010; 2.中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川 绵阳621900);

摘要: 采用化学气相沉积法制备了阵列碳纳米管薄膜,对薄膜生长厚度进行了系统研究。利用扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)对样品形貌以及结构进行了表征。结果发现,在相同的生长时间和一定的催化剂浓度范围内,阵列碳纳米管的薄膜厚度随催化剂浓度提高而增加;在生长时间相同时,阵列碳纳米管薄膜厚度随载气流速的增加而降低,且下降趋势近似为线性;随着生长时间的增长,阵列碳纳米管薄膜的厚度也随之增加,且在前60min生长速度最快达到24μm/min,60min之后生长速度减缓。

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