编号：SBJS00342
篇名：铜基碳纳米管薄膜的制备及其强流脉冲发射特性研究
作者：麻华丽； 霍海波； 曾凡光； 向飞； 王淦平
关键词：强流脉冲发射； 碳纳米管； 铜基底； 稳定性
机构： 郑州航空工业管理学院数理系； 中国工程物理研究院应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室
摘要： 为了研究碳纳米管薄膜的强流脉冲发射特性,采用酞氰铁高温热解方法在机械抛光铜基底上直接生长了碳纳米管薄膜(Cu-CNTs),Cu-CNTs生长方向各异.在20GW脉冲功率源系统中采用二极结构对Cu-CNTs的强流脉冲发射特性进行研究,研究结果表明:在单脉冲发射条件下,随脉冲电场峰值的增大,Cu-CNTs薄膜的发射电流峰值呈线性增加,当宏观场强为15.5V/μm时,发射脉冲电流的峰值可达到5.56kA,对应的发射电流密度0.283kA/cm2,当宏观场强达到32.0V/μm时,发射脉冲电流的峰值可达到18.19kA,对应的发射电流密度0.927kA/cm2,发射电流能力明显优于已有报道.在相同峰值,连续多脉冲情况下,碳纳米管薄膜具有良好的发射可重复性,且发射性能稳定. 更多还原
