编号：FTJS03524
篇名：磁控溅射沉积非晶碳膜微结构及电学性能
作者：尚魁平； 冶艳； 葛培林； 江利； 鲍明东；
关键词：非晶碳膜； 磁控溅射； 微观结构； 电阻率；
机构： 中国矿业大学材料科学与工程学院； 宁波工程学院材料工程研究所；
摘要： 在单晶Si(100)基体上,采用闭合场非平衡磁控溅射方法沉积制备了导电非晶碳膜。X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈明显的非晶结构;用XPS分析了薄膜中的碳键结构,碳膜的C1s峰位于284~285 eV之间,C1s峰分峰拟合得出sp2C的原子数分数为59%左右,碳键以sp2结构为主;四探针法测得薄膜的电阻率为1.32×10-6Ω.m。可以认为:制备的碳膜是以sp2结构为主的类石墨非晶态薄膜。
