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产品系列
■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs)
———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm
■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs)
——TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm
TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。
技术参数:
■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs)
———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm
三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计,其中:
◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图1)
◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图2)
◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图3)
主要特点:
■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs)
———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm
■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs)
——TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm
TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件,光谱响应曲线参考图如下:
铟镓砷探测器使用建议:
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85)做为前级放大并转换为电压信号;标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器;
● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制;