SiC具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、高导热、抗氧化性以及高强度、低密度、介电性能可设计等优异特性，是极具应用潜力的导热吸波型材料。在半导体材料中，SiC的高导热系数奠定了其在第三代半导体材料中的主导地位，SiC器件可在高温下长时间稳定工作，促进了其在新一代芯片技术和导热散热技术领域的推广应用。下表列出了三代半导体材料的热学性能对比。

博尔公司凭借30年在碳化硅粉体合成、分级、整形、纯化、热压与无压浸渗、高导热陶瓷制造等方面的技术储备，快速进入热管理材料领域，并逐步开发了3C-SiC导热吸波粉、纳米SiC导热吸波粉等系列产品，特别适合于对导热、吸波及绝缘等指标有特殊要求的产品。已在国内多家大型导热、吸波、屏蔽企业完成产品应用，使用效果优于日本、德国和美国等进口粉体。

 △产品优势如下：

棱角钝化，形貌规整，填充性能好、稳定性好、易于形成更多的导热通道。

比表面积小，吸油值低、流动性好。

粒度分布窄，颗粒集中度比国标至少提高10%以上。

堆积密度高，最高可达2.2g/cm3。

纯度高，SiC纯度可达4N~5N～6N。

吸波性能良好、介电性能可调。

性价比高，可用于6-8W及以上的导热产品。

PART.1   3C-SiC导热吸波粉

3C-SiC导热吸波粉具有晶型完整、导热系数高，吸波性能好，电子迁移率、击穿电场强度、相对介电常数等电学性能各向同性等特点。3C- SiC纯度：SiC≥99%；F·C﹤0.03%；F·Si﹤0.1%；SiO2﹤0.2%；Fe2O3﹤0.03%。堆积密度：1.3～2.0g/cm3。

产品规格：0.5μm～40μm，可根据用户需求定制。

PART.2  纳米SiC导热吸波粉

纳米SiC导热吸波粉采用公司自主专利技术生产的β-SiC新型微粉和碳化硅磨介磨制而成，具有纳米粒度分布窄、纯度高、堆积密度高、绝缘性能好等优点。经过表面改性和造粒制成的纳米SiC造粒粉，具有密度大、球度一致性好、填充性能好、导热系数高等优点。造粒粉粒度范围为10～120mm，可根据用户需求定制；流动性指数可达94，休止角达20º。

产品规格：30μm～100μm，可根据用户需求定制。