美国研发人员在石墨烯电子器件领域取得进展


来源:科技部

[导读]  美国北卡罗来纳州立大学的研究人员开发了一种还原氧化石墨烯的技术,该技术可用于开发基于还原氧化石墨烯的晶体管,有望在电子设备中得到应用。

中国粉体网讯  美国北卡罗来纳州立大学的研究人员开发了一种将带正电荷(p型)的还原氧化石墨烯(rGO)转化为带负电荷(n型)还原氧化石墨烯的技术,该技术可用于开发基于还原氧化石墨烯的晶体管,有望在电子设备中得到应用。


石墨烯的导电性非常好但不是半导体,氧化石墨烯像半导体具有带隙却导电性差,而还原氧化石墨烯只带正电荷(p型),可解决这一问题。北卡罗来纳州立大学材料科学与工程系的研究团队发明了利用p型rGO制备n型rGO的方法。首先,他们将rGO集成到蓝宝石和硅晶片上,然后使用大功率激光脉冲来周期地冲击晶片上的化学基团。这种冲击可有效将电子转移,使p型rGO转化为n型rGO。整个过程在室温和常压下进行,完成时间小于1/5微秒。这种激光辐射退火方法提供了高度的空间和深度控制,使开发基于p-n结的二维石墨烯电子器件成为可能。

 

这一成果发表于美国物理联合会(AIP)《应用物理》期刊网站上。

 

 

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