本设备是由石英坩埚（或氧化铝陶瓷坩埚）和不锈钢法兰组成的真空坩埚炉。主要用于煅烧真空或惰性气体保护下的高纯度化合物或扩散半导体晶片，也可用于烘烧或烧结陶瓷材料。二、真空井式坩埚炉参数说明型号QSH-VCF-1200TQSH-VCF-1400TQSH-VCF-1700T工作温度＞1200℃＞1400℃＞1700℃加热元件电阻丝硅碳棒硅钼棒热电偶K型S型B型控温方式51段可编程自动控制，PID调节控温精度升温速率0-10℃0-20℃控温精度±1℃真空度-0.1MPa炉膛材料氧化铝陶瓷纤维板炉壳双层炉壳，风冷结构（炉底安装两个散热风扇），炉壳表面温度低于60度额定功率1KW—8KW常用炉膛尺寸Φ240xH220mm；Φ40xH300mm；Φ60xH300mm；Φ80xH300mm；Φ100xH300mm；Φ120xH300mm三、温控程序曲线示意图（六段为例）：四、温控程序对应符号及其意义：提示符输入数据意义C010起始温度值t0160从0~300℃的升值时间为60分钟C02300个目标温度值t0210300℃保温时间10分钟C03300第二个目标温度值t03240从300~1500℃的升值时间为240分钟C041500第三个目标温度值t04301500℃恒温时间10分钟C051500第四个目标温度值t05260从1500~200℃的升值时间为260分钟C06200第五个目标温度值t06－121程序运行结束，自然降温