脉冲等离子PulsPlasma®系统包括真空炉室，辅助加热系统，保温系统，温度测量系统，钟罩提升系统，工艺气体循环系统，冷却系统，工艺控制系统以及离子发生器系统。这其中的离子发生器系统是普发拓普公司的**设计，可以完全避免打弧现象的发生而且节能效果明显。炉体可以是钟罩式设计，也可以是井式炉或卧式设计。根据设备的大小，加热控制区至少配有三组独立控制升温和降温的加热器，通过这些独立控制的加热器获得**的均温性。工艺特点：通过热壁技术实现良好的均温性工艺气体消耗少，没有污染气体灵活的渗氮温度，温度范围300℃-800℃白亮层可控可处理不锈钢可处理烧结钢可以在同一炉工艺集成脉冲离子氮化-氧化工艺设备特点：不产生打弧，工件表面无破坏独特的加热和控制系统，至少3区独立的加热和冷却区域控制区温度均匀分布独有的PulsPlasma®电源，电压和电流近乎方波，几微妙内获得设定的全部脉冲电流，主动抑制打弧监测（开关时间<0.1µs）电源可升级至5年质保可在低温下对工件表面进行等离子清洗设备布局紧凑，节省空间，所有部件集成在一个基础框架内模块化设计，提供单室型、交替型和双室型设备特殊航天保温材料，热容量低，功率损耗低，节省重量