SiC衬底

推荐碳化硅，华为投全了！

中国粉体网讯 4月5日，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法”专利，申请公布号为CN117822097A，申请日期为2022年9月28日。来源：国家知识产权局该专利[更多]

资讯 SiC产业链第三代半导体SiC衬底SiC外延华为
|
中国粉体网
585 点击585

更多相关

重庆三安意法半导体SiC衬底项目预计8月投产

重庆三安意法半导体SiC衬底项目预计8月投产

要闻
SiC衬底第三代半导体半导体材料碳化硅晶圆三安意法半导体
514 点击514
中晶芯源：8英寸SiC单晶和衬底项目正式备案

中晶芯源：8英寸SiC单晶和衬底项目正式备案

要闻
SiC衬底第三代半导体半导体材料SiC单晶中晶芯源
3175 点击3175
SiC大厂晒业绩，3个月15亿！

SiC大厂晒业绩，3个月15亿！

要闻
SiC衬底第三代半导体SiC材料半导体材料Wolfspeed
2561 点击2561
近20亿元！这家企业再签SiC大单！

近20亿元！这家企业再签SiC大单！

要闻
碳化硅晶片SiC衬底第三代半导体碳化硅晶圆Wolfspeed
1701 点击1701
英飞凌确认：两家中国SiC供应商获车规认证并大规模出货

英飞凌确认：两家中国SiC供应商获车规认证并大规模出货

要闻
SiC衬底先进陶瓷特种陶瓷半导体材料碳化硅
2317 点击2317
科友半导体：实现8英寸SiC量产关键技术突破！

科友半导体：实现8英寸SiC量产关键技术突破！

要闻
8英寸碳化硅SiC衬底先进陶瓷半导体科友半导体
2100 点击2100
228亿！三安+意法联手建SiC厂，预计2025年投产

228亿！三安+意法联手建SiC厂，预计2025年投产

要闻
碳化硅器件SiC衬底半导体先进陶瓷三安光电
2254 点击2254
开年近20家半导体公司启动上市辅导！SiC龙头也来了

开年近20家半导体公司启动上市辅导！SiC龙头也来了

要闻
半导体上市辅导碳化硅SiC外延片SiC衬底
2997 点击2997
半导体行业方兴未艾，关于碳化硅单晶你了解多少？

半导体行业方兴未艾，关于碳化硅单晶你了解多少？

百科
碳化硅单晶半导体行业衬底材料SiC衬底晶片加工工艺
73255 点击73255
+ 加载更多

热点资讯

热点图片

© 2002-2024 中国粉体网版权所有 关于我们 | 服务项目 | 版权声明 | 友情链接 | 会员体系 | 广告服务 | 联系我们 | 加入我们 | 用户反馈