基于GaN基半导体材料的紫外光电器件及应用
基于GaN基半导体材料的射频器件及集成电路
基于GaN基半导体材料的电力电子器件及应用

清华大学电子工程系学士，佐治亚理工学院电子及计算机工程系博士。曾在美国高平（Kopin）半导体公司III-V部门从事研发工作。具备多年GaN、GaAs基器件的设计、制造工艺及器件物理分析经验。

2006年至2010年，参与完成与美国国防部先进研究项目局（DARPA）在深紫外光电探测器领域的项目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可见光波段激光器领域的项目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光电子器件领域取得了丰硕成果的同时，在GaN基大功率电子器件方面也有丰富的经验和世界领先的成果。迄今为止已在国际高水平学术期刊发表GaN方面文章20余篇，及40余篇国际会议文章和1项美国专利申请。相关研究成果先后4次被半导体网络杂志Semiconductor Today作为热点报道并获得广泛关注。