第三代宽禁带半导体深紫外光电材料与芯片器件领域（重点围绕紫外发光和紫外探测）的研究

分别于1992年和1994年在武汉大学获得了应用物理专业的学士学位和半导体物理与器件的硕士学位，并于2000年在德国埃尔朗根-纽伦堡大学获得了半导体物理与器件的博士学位。2001至2004年间，他在美国弗吉尼亚联邦大学和南卡罗来纳大学担任研究科学家，从事III族氮化物半导体材料和器件的研究。陈博士于2007年加入了华中科技大学的武汉光电国家研究中心担任教授及湖北省楚天学者特聘教授。