第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会

当前，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、光伏储能、5G 通信、特高压、大数据中心等新基建领域快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿制高点。我国 “十四五” 规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，但与国际先进水平相比，在晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善等关键技术环节仍存在差距，亟需通过产学研协同破解难题。​

为加快推动我国 SiC 产业技术突破与成果转化，中国粉体网定于 2026 年 5 月 28 日在安徽合肥举办 “第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”，汇聚行业专家、学者及企业代表共探技术路径与产业机遇。

在此背景下，先进半导体晶体材料将于2026年5月28日在安徽·合肥举办  第三届第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。

会议时间：

2026年 5月 28 日

会议地点：

安徽·合肥

主办单位：

会议主题：

1、碳化硅半导体产业现状、政策导向与未来市场展望​

2、大尺寸（8 英寸及以上）SiC 晶体生长技术难点及突破路径​

3、SiC 单晶生长用高纯碳粉与硅粉的纯度控制（杂质去除）及制备工艺​

4、碳化硅晶体生长装备（长晶炉）关键部件（保温层、加热系统）应用进展​

5、碳化硅衬底研磨 / 抛光工艺优化及专用耗材（磨料、抛光液）技术创新​

6、SiC/TaC 涂层制备工艺及其在晶体生长设备中的应用性能​

7、第三代半导体碳化硅的先进切割技术（机械切割、等离子切割）对比​

8、激光技术（3D 激光隐切、飞秒激光）在碳化硅切割及划片上的应用与损耗控制

9、高平整度 SiC 衬底化学机械抛光（CMP）技术研究与良率提升​

10、8 英寸碳化硅外延材料生长核心工艺（温度、压力控制）与关键装备选型​

11、碳化硅衬底及外延层缺陷（微管、位错）检测技术与自动化设备应用​

12、碳化硅晶片清洗工艺（超声清洗、化学清洗）与表面洁净度控制​

13、SiC 晶体加工关键设备（抛光机、检测设备）国产化进程与性能对标​

14、晶圆切割设备市场现状、技术趋势及国产替代案例分析​

15、立方 SiC 单晶液相法生长的界面稳定性与晶体质量调控​

16、车规级 SiC 晶圆可靠性测试（AEC-Q102 认证）适配技术​

17、SiC 晶体生长 “黑匣子” 状态实时监测（温度、压力传感器）系统开发​

18、碳化硅全产业链供应链（材料 - 设备 - 加工 - 应用）协同整合模式

参会对象：

· 半导体材料领域科研机构（高校、中科院研究所）专家、学者及研究生​

· SiC 晶体生长、衬底制备、晶圆加工企业的技术负责人、研发工程师、生产管理人员​

· 高纯碳粉与硅粉、晶体生长设备、切割 / 抛光设备及耗材（磨料、抛光液）供应商代表​

· 新能源汽车、光伏逆变器、5G 基站、储能系统等下游应用企业的研发、采购负责人​

· 政府相关主管部门（工信、科技系统）、产业园区、投资机构及行业协会相关人员

往届嘉宾阵容：

特色活动：

大会征集参会企业相关技术合作、产品采购，工艺方案等需求进行现场采配活动，

相关信息将进行展板展示，提高现场沟通交流效率！

征集内容包含但不限于以下几点：

1、行业投资、融资需求

2、科研成果转化

3、产品工艺问题解决方案

4、原料、设备、仪器采购需求

大会赞助：

（赞助详细内容请联系会务组了解）

1、协办赞助（含展位、企业致辞，LED大屏广告，视频播放，企业报告等）

2、晚宴赞助（含展位、晚宴大屏LOGO展示、晚宴致辞、主持人口播广告等）

3、其它赞助（资料袋、茶歇、椅背广告、胸牌广告赞助等）

4、展位展示（展示桌椅+展位背景墙广告）

同期活动：

展位展示

费用10000元

1、标准展桌一套(配2把椅子）

2、企业喷绘背景墙广告1个（2米宽*2.6米高）

3、参会名额2人

会议费用：

付款账户：

会务组：

联系人：段湾湾

联系方式：13810445572（微信）

邮箱：duanwanwan@cnpowder.com           大会组委会 2025年10月